解决废钢短缺是特钢业发展的关键

随着短流程炼钢的迅速兴起，废钢消耗量急剧增加，世界范围内废钢供应已经出现了严重缺口，我国每年须从国际市场进口大量废钢才能满足钢铁生产的供需平衡，在我国废钢已成为紧缺资源，影响着我国特钢业的发展。分析了这一形势，并初步探讨了解决这一问题的方法，建立合理的废钢储备及使用体系，使废钢资源合理化流动，同时积极探寻优质的废钢代用品，以便从根本上解决我国废钢短缺问题。     

多孔硅发光二极管的载流子传输特性研究

制备AI／多孔硅／c-Si／Al结构的多孔硅发光二极管，利用其I-V特性关系，以及在不同温度下其I-V特性的变化，结合多孔硅的特殊微结构及性质，分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程；通过比较其发光猝灭前后I-V特性的变化，解释了发光猝灭的原因。提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性Si微粒中复合．是提高多孔硅电致发光效率的一个途径。     

p-Si薄膜生长的ECR-CVD等离子体系统的结构设计

提出了一种生长p-Si薄膜的ECR-PECVD等离子体系统。系统采用永磁铁和线圈相结合，改善反应室磁场的均匀性；微波窗口设计成多层结构．避免窗口污染；衬底托架移动和旋转利于改善生长膜的均匀性。     

液晶光阀光电导层光吸收系数的研究

用化学气相沉积法制备了液晶光阀中光电导层———非晶硅薄膜,从实验中得出最佳制备工艺的参数取值。给出了用包络线法测量非晶硅薄膜光吸收系数的原理,测量了样品的光吸收系数随波长的变化规律。得到样品在最佳工艺条件下的光吸收系数高于1×103cm-1。     

硬质合金长条薄片弯曲变形的控制

从毛坯厚度差、装舟方式、冷却速度、舟皿涂料等方面分析了YG8和J12硬质合金长条薄片的弯曲变形原因,提出了几种抑制弯曲变形的措施。     

硫酸锆、碳酸锆的性质、应用及生产技术综述

综述了硫酸锆，碳酸锆产品的性质，生产技术及应用，收集整理了国内外部分厂家和公司该产品的化学指标与生产技术；介绍了“分步液相沉淀法”生产工艺，与“一步法”生产工艺相比，其具有流程短，投入少，操作简单，制造成本低等优点。     

中国硬质合金工业现状及发展趋势

简要总结了中国硬质合金工业所取得的成就及与国外先进水平比较存在的差距,并对国内外硬质合金市场和技术发展趋势进行了分析。     

25Cr3Mo3NiNb二次硬化钢中的碳化物

利用TEM和萃取相分析方法，研究了25Cr3Mo3NiNb二次硬化钢淬火回火组织中的碳化物。结果表明，随淬火奥氏体化温度的升高，M6C型碳化物逐渐溶解。于1050℃奥氏体化时M6C型碳化物全部溶解，淬火态试样中只有少量的Nb(C，N)颗粒和自回火M3C型碳化物。随回火温度的升高，先后析出ε、M3C、M2C和M7C3等类型的碳化物。Nb(C，N)颗粒可以阻止淬火奥氏体晶粒的异常长大，而高温回火析出的M2C碳化物有二次硬化作用，从而提高回火稳定性和高温强韧性。     

Electrical/electronic effects of titanium and iron impurities in EFG and FZ solar cell silicon: SPV/EBIC analysis

In this paper results on surface photovoltage (SPV) and electron beam induced conductivity (EBIC) studies of edge-defined film-fed growth (EFG) and floating zone (FZ) silicon solar cell materials (both p-type) are presented. A systematic comparison based on minority carrier diffusion length and carrier recombination is made between: (i) samples contaminated with Ti and/or Fe, (ii) samples gettered by phosphorous diffusion, and (iii) as-received samples. Deep level transient spectroscopy (DLTS) measurements, together with the iron-boron (FeB) pairing kinetics [1] have successfully been used to detect the presence of Fe in the samples. Even though this process is effective in revealing Fe impurities in p-type FZ silicon it is evidently not suitable for Fe identification in p-type EFG silicon. Ti, like Fe, is found to be a prominent lifetime-limiting metallic impurity in both EFG and FZ silicon. Phosphorous diffusion is proven to be an effective external gettering technique for fast-diffusing impurities such as Fe, but not for Ti.     

以YAG为添加剂的气压烧结氮化硅

本文以添加ＹＡＧ的反应烧结氮化硅（ＲＢＳＮ）为前驱体，采用气氛加压烧结的工艺，在０．５～９．０ＭＰａ氮气压力范围，研究了不同氮压对烧结体的密度、相组成、强度和显微结构的影响及其相互间的关系。研究表明，通过改变氮气压力能有效地调控材料的显微结构，材料的性能又受控于显微结构的变化。